值得信任的股票配资 AI风起再追台积电 三星2025年量产2纳米

发布日期:2024-08-05 20:23    点击次数:121

值得信任的股票配资 AI风起再追台积电 三星2025年量产2纳米

  AI火爆催生的高算力需求给全球半导体升级带来了新的动力,先进制程的时间表再度变得迫切。在3纳米产量已经进入稳定期的背景下,2纳米成为新的市场争夺点。

  日前,在圣何塞举行的三星晶圆代工论坛上,三星高调宣布更新半导体工艺路线图,目标重点围绕2纳米展开。根据计划,三星将在2025年推出2纳米级的SF2节点(此前名称为SF3P),2026年推出SF2节点的性能增强版本SF2P,2027年实现第四代SF2Z芯片的大规模量产。

  而抢在2025年拥有2纳米制程节点,也意味着三星将其进度赶上了台积电。据台积电CEO魏哲家日前于财报会上透露,台积电的2纳米研发进展顺利,目前正积极推进在2025年实现大规模量产的目标,预计2024年下半年风险试产,2025年第二季度小规模量产。

  “三星的表态,更多也来自目前代工市场双巨头格局带来的竞争压力。”CHIP全球测试中心中国实验室主任罗国昭向《中国经营报》记者表示,目前全球代工市场的近八成份额被二者占据。来自半导体市研机构TrendForce的数据显示,2024年第一季度,台积电以61.7%居首,同比增幅0.5%;而三星则以11%位居次席,同比下滑0.3%。

  值得注意的是,除2纳米外,三星还在本次论坛上透露了其SF1.4(1.4纳米)的研发进度,称目前进展顺利,有望在2027年达成性能和良率目标并实现量产。

  AI热潮倒逼

  虽然在三星的原有路线图中,2纳米的时间同样落子2025年,但此次三星的表态备受关注,在于其对于2纳米的商用规划范围做出了新的调整。

  据三星电子总裁兼晶圆代工业务负责人崔时荣2023年9月透露,三星将自2025年起首先于移动终端量产2纳米制程芯片,随后在2026年用于高性能计算(HPC)产品,并于2027年扩大至车用芯片。但在此次对于SF2节点技术的表述中,三星则强调了将同时应用于高性能计算和智能手机。

  “AI在算力和终端侧的普及比预想要快,这使得台积电和三星在2纳米领域加快发力。”在罗国昭看来,2纳米与3纳米相比,大大提高AI计算的速率并降低功耗。以5纳米过渡到3纳米为例,平均单颗CPU性能提升10%,而GPU的提升则高达20%。

  罗国昭认为,这使得意在推出AI手机的厂商和算力芯片的厂商都加大了对于2纳米的需求,包括苹果、英伟达和AMD。据公开报道,首批台积电的量产2纳米芯片将于明年在 iPhone 17系列上首次亮相,M系列芯片也将采用同样的制程。

  崔时荣在本次代工论坛期间透露,在过去一年中,三星代工的AI销售额增长了80%。而满足AI需求的关键,在于提供高性能、低功耗的半导体,用于高速、低功耗的数据处理。

  与台积电相同的是,三星的2纳米制程采用了GAA工艺。这一新工艺采用新的纳米片晶体管结构,以取代目前主流的鳍式场效应晶体管(FinFET)结构。相比于后者,GAA结构可以更为精确地减少漏电损耗,降低功耗。

  崔时荣指出,三星GAA自2022年起已进入量产的第三年,其间稳步增长,并有望在未来几年大幅增长。

  英特尔跟进

  除了三星与台积电外,半导体的另一大传统巨头英特尔也加入了2纳米制程的战局。

  今年年初,英特尔首席执行官帕特·基辛格公布了包括2纳米芯片在内“4年5个工艺节点推进计划”,并宣布在2030年前成为全球第二的晶圆制造厂。根据计划,英特尔将在2024年开始量产Intel 20A(即2纳米)芯片,这款芯片将采用全新的RibbonFET晶体管,以取代现有的FinFET架构。

  记者从英特尔方面获悉,与GAA相比,RibbonFET加入了背面功率传输技术,这使得英特尔方案能实现6%的性能提升(Fmax)、90%的单元利用率以及30%以上的电压降低。

  若该目标实现,英特尔将成为比台积电、三星都更早实现2纳米工艺芯片的制造商。在日前举行的英特尔至强6能效核发布会上,英特尔市场营销集团副总裁兼中国区总经理王稚聪再度明确表示,“4年5个工艺节点计划”正在顺利推进。这意味着,Intel 20A 目前已在有序制造进程中。

  英特尔的自信,来自光刻机供应链。在2023年12月表示将向英特尔提供最新一代“0.55数值孔径”High NA EUV光刻机后,ASML于今年年初向英特尔俄勒冈晶圆厂完成了发货。英特方面表示,该光刻机将用于英特尔2纳米及更先进制程芯片的制造。

  对于英特尔切入2纳米制程的前景,半导体分析师季维认为,由于近年来未在先进制程上有过较多闪光点和份额积累,目前市场对其更多持观望态度。如果应用后能收获良好口碑,英特尔将会成为台积电、三星的有力挑战者。

  罗国昭则表示,英特尔目前没有太多包袱,如果1.8纳米与2纳米都进展顺利,这意味着过去几年失去的制程优势有望夺回甚至领先,对于两强格局而言无疑将是一个巨大的变数。

  三强抑或独大

  三星的高调和英特尔的入局,在加速全球2纳米普及的同时,也让先进制程芯片的竞争格局变得微妙。

  季维认为,三强林立的格局虽然有望形成,但目前三星的形势肯定最为艰难。前有台积电,后有英特尔,而且台积电还在扩大优势,英特尔则可能弯道追上。

  记者留意到,目前除苹果外,几乎垄断安卓阵营的高通与联发科两大手机芯片供应商的3纳米芯片都选择了台积电,包括2024年发布的骁龙8Gen4与天玑9400。此外,GPU界几乎一家独大的英伟达,基于Blackwell架构的RTX 50系列也同样选择了台积电3纳米工艺。

消防队员和PERN紧急服务人员均赶赴现场,但没有火灾报告。目前,事故原因尚不清楚,预计在周二早上恢复友谊管道的输送。

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  罗国昭表示,目前台积电3纳米的订单已经排到了2026年,短期内三星可能会遭受进一步的冲击。而由于制程技术上的优势和提前采购需要预留的时间差,目前台积电3纳米的客户不太可能转移订单,并会延续到2纳米,这或让台积电的份额进一步扩大。

  但罗国昭也指出,对台积电需求的火爆也意味着,其产能是否能够满足市场,需要接受检验,“如果供不应求,那对三星和英特尔来说则都是机会”。

  值得注意的是,为了赶超台积电,三星在3纳米领域同样早于台积电几个月推出,但由于工艺不够成熟,良率始终存在问题,最终让台积电在3纳米领域一骑绝尘。这样的教训,三星是否会吸取并解决,将是能否挑战台积电2纳米并与其竞争的关键。

  据台积电业务开发资深副总暨副共同营运长张晓强在5月末透露的信息,2纳米制程进展非常顺利,目前纳米片转换表现已达到目标90%,换成良率即超过80%。

  “目前最大的机遇是AI,市场供不应求的现状,对高性能低功耗的需求,将会给三星和台积电留出机会值得信任的股票配资,也是2纳米竞争最大的看点。”罗国昭表示。